| Аннотація | На основе анализа публикаций последних лет для системы Ge-нa-Si приводятся устоявшиеся представления о механизмах образования германиевых островков нанометровых размеров. Упругие деформации в эпитаксиальных пленках и трехмерных островках Ge на Si являются ключевым фактором, обусловливающим не только морфологический переход (планарная пленка)-(островковая пленка) (механизм Странского-Крастанова), но и влияют на последующие этапы эволюции островков, включая их форму, размер и пространственное распределение. Во многих случаях этот фактор существенно модифицирует классические механизма: фазообразования и их последовательность вплоть до квазиравновесного сосуществования трехмерных наноостровков Ge на поверхности подложки Si. Обсуждаются пути улучшения степени упорядочения наноостровков и достижения предельно малых размеров и большой плотности их распределения по площади. В работе приводятся литературные данные по поглощению света в многослойных системах Ge-Si с квантовыми точками, свидетельствующие об аном |